KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
上海伯东某客户为精密光学镀膜产品生产商, 生产过程中需在白玻璃上进行镀膜. 由于国产镀膜设备在射频和光控性能方面的限制, 镀制过程易出现温漂现象, 材料折射率不高, 品质无法保证; 且工艺上需要加热, 这大大增加了镀膜时间. 经过伯东推荐选用国产镀膜机加装美国进口 KRi 射频离子源进行辅助镀膜, 保证工艺效果, 提高生产效率.
红外截止滤光片是一种用于过滤红外波段的滤镜, IRCF 利用精密光学镀膜技术在白玻璃, 蓝玻璃或树脂片等光学基片上交替镀上高低折射率的光学膜, 其可通过实现近红外光区截止以消除红外光对成像的影响, 是高性能摄像头的必备组件, 工艺上对所用的镀膜设备有着极高的要求.
KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
应用领域: 光学镜头
薄膜工艺: IR-CUT
产品类别: 红外截止滤光片
应用方向: 国产镀膜机加装 KRi 射频离子源进行离子清洗和辅助沉积, 实现 IR-CUT 单面镀膜
美国 KRi 考夫曼品牌射频离子源通过辅助镀膜在白玻璃 IRCF 上进行工艺升级, 解决温漂问题, 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.
美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数：
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型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
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离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
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栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
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长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
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直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
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