风电变流器中SiC碳化硅MOSFET模块会替代IGBT模块

为什么在风电变流器中SiC碳化硅MOSFET模块会替代IGBT模块！
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模块打造全SiC碳化硅风电变流器！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率模块升级传统IGBT模块风电变流器，实现更高的风电变流器效率，更小的风电变流器体积重量！更低的风电变流器成本！

随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用基本公司碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销基本公司SiC碳化硅MOSFET！

倾佳电子（Changer Tech）致力于基本公司国产碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在电力电子市场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!


基本公司SiC碳化硅MOSFET模块适用于风电变流器，比如双馈风电变流器和全功率风电变流器等。

基本公司SiC碳化硅MOSFET模块的阻断电压高,开关速度快,耐高温.基本公司SiC碳化硅MOSFET模块的双馈风力发电典型变流器拓扑系统在3 kHz开关频率下,全SiC碳化硅风电变流器两电平变流器较IGBT模块两电平效率提高3％,全SiC碳化硅风电变流器三电平变流器效率提高1％.
使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模块的风电变流器和IGBT模块风电变流器的效率、体积和成本进行了比较。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模块的风电变流器的实际热模型进行模拟得出的结论是，在风力发电系统中应用SiC碳化硅MOSFET模块将提供逼IGBT模块更高的效率，但会大幅度减小风电变流器系统尺寸。随着基本公司SiC碳化硅MOSFET模块价格的降低，该风电变流器系统的优势将更加明显，因为在这种情况下滤波器成本要低得多。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET模块的转换系统节省整个系统成本和体积，对效率、体积和成本应用不同权重的成本函数（效率较小，成本和体积相等）表明，与IGBT模块风电变流器相比，使用30 kHz 开关频率的基本公司SiC碳化硅MOSFET模块的风电变流器具有最佳价值，在减小风电变流器体积方面的优势更为明显。

IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。

未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
为此，BASiC™基本公司研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。
针对新能源汽车的应用需求，BASiC™基本公司研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™基本公司推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。

为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。

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风电变流器中SiC碳化硅MOSFET模块会替代IGBT模块
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