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深圳市星际金华实业有限公司

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供应产品
英飞凌全新正品IPN60R600P7S场效应晶体管
发布时间:2019-12-12 17:31        浏览次数:145        返回列表
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品牌:Infineon
漏源电压(Vdss):600V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
Vgs(最大值):±20V
单价:4.00元/只
最小起订量:10 只
供货总量:3000 只
发货期限:自买家付款之日起 3 天内发货
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详细介绍
 星际金华出售英飞凌全新正品IPN60R600P7S场效应晶体管   百分百进口原装  量大价优  质量可保证  要的赶紧致电咨询

型号:IPN60R600P7S
批号:18+ 
封装:SOT223 
 
描述
“ CoolMOS™”第七代平台是“革命性的”技术,用于根据超结设计的高电压功率MOSFET(SJ)的原理和技术是英飞凌技术的先锋。600VCoolMOS™P7系列结合了领先的SJMOSFET的经验具有一流创新的供应商,并且是唯一能够实现这一目标的平台RDS(on)* A在1Ohm *mm²以下。600VCoolMOS™P7系列是作为CoolMOS™P6系列的后续产品,并继续提供所有快速切换SJ MOSFET的好处,同时又不牺牲使用的便利性。极低的开关和传导损耗使开关应用程序效率更高,更紧凑,更轻,更凉。
 
特征
•适用于“硬”和“软”切换(PFC和“ LLC”)
•集成的门极电阻器可在效率之间实现出色的平衡
并“易于使用”
•RDS(on)* A?低于1Ohm *mm²,使能?RDSON /封装
•ESD二极管从180mOhms以上
•系列适用于各种工业和消费级产品
根据“ JEDEC”(J-STD20和“ JESD22”)的应用
 
好处
•通过在PFC和PWM拓扑中使用,规模经济有所增加

规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 1.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 363pF @ 400V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 7W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-SOT223
封装/外壳 TO-261-3
 
应用
•可以在各种各样的应用程序和功率范围内使用
•由于较小的包装,增加了功率密度解决方案
•各种制造环境中的保护
•针对消费或工业应用量身定制的产品
 


英飞凌全新正品IPN60R600P7S场效应晶体管
网址:http://www.shangtaiw.com/b2b/xingjijinhua/sell/itemid-94217.html
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