蚀刻均匀性: ±5%, 刻蚀速率: 20 nm/min, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转.
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 主要优点:
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国 KRI 考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 技术参数:
φ4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
可选 |
样品台 |
样品台可选直接冷却 / 间接冷却0-90度旋转 |
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离子源 |
20cm 考夫曼离子源 |
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均匀性 |
±5% for 8”Ф |
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硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
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温度 |
<100 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 组成:
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C
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