上海某大学研究室在离子溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 作为溅射源

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号	RFICP380
Discharge 阳极	射频 RFICP
离子束流	>1500 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	39 cm
直径	59 cm
中和器	LFN 2000

 

 

该实验以 99.9% 纯度 Ti 靶和纯度石墨靶为原材料, 通过离子溅射技术在硬质合金表面制备 Ta-C涂层.

 

研究结果:

石墨靶溅射时间 55min 时制备的 Ta-C涂层综合性能较优, 涂层摩擦系数较低达到 0.13, 对膜副表面形成了石墨转移膜, 对 Ta-C 涂层起到润滑作用.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备类金刚石 Ta-C 涂层
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