为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号	RFICP380
Discharge 阳极	射频 RFICP
离子束流	>1500 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	39 cm
直径	59 cm
中和器	LFN 2000

 

上图为磁控溅射系统工作示意图

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源.

 

客户材料:

基片为φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶纯度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 铜靶纯度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作气体为纯度 99.99% 的氩气.

 

运行结果:

当 W 含量在11.1%时, Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
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