某微电子制造商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积硅片金属薄膜.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号	RFICP220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦,  平行,  散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

磁控溅射法制备铝膜是微电子工艺制备金属薄膜最常用的工艺之一, 然而在使用磁控溅射设备制备铝膜时, 往往会发现调用同一个工艺菜单, 制备出的铝膜厚度会有所不同, 最大相差接近40%. 这对于制备高精度膜厚的铝膜具有严重的影响.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

因此, 为了提高硅片金属薄膜的均匀性，该制造才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵,  检漏仪,  质谱仪,  真空计,  美国 KRI 考夫曼离子源,  美国HVA 真空阀门,  美国 inTEST 高低温冲击测试机,  美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 用于溅射沉积硅片金属薄膜
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