某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号	RFICP380
Discharge 阳极	射频 RFICP
离子束流	>1500 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	39 cm
直径	59 cm
中和器	LFN 2000

 

 

该复合磁控溅射沉积装置主要包含：

1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380

2. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH3000

3. 高功率脉冲磁控溅射电源

4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700

5. 基台

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于复合磁控溅射沉积装置
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