某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性. 

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号	RFICP220
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>800 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	20 cm Φ
离子束	聚焦,  平行,  散射
流量	10-40 sccm
通气	Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	30 cm
直径	41 cm
中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

提高镀膜均匀性的重要性：

以碲镉汞半导体材料为代表的红外探测器器件工艺中, 几乎都要进行表面钝化和金属膜电极成型工艺, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用.  在背照式红外探测器的红光收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽. 

 

为了提高均匀性, 客户同时采用基片离心旋转法, 样品台转速为 15 r/min. 

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

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KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积红外器件介质膜
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