某半导体厂商为了提高红外器件 ZnS 薄膜厚度均匀性, 采用  KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助磁控溅射沉积设备镀制红外器件 ZnS 薄膜, 并采用动态沉积的方法--样品台离心旋转的方式, 补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号	RFICP380
Discharge 阳极	射频 RFICP
离子束流	>1500 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	39 cm
直径	59 cm
中和器	LFN 2000

 

 

红外器件金属膜需要高均匀性的原因: 

红外器件几乎都要进行表面钝化和镀制金属膜, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用, 而在背照式红外探测器的光接收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐                                   台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 108              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1322                            F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 ( 微信同号 )      M: +886-939-653-958
qq: 2821409400 
www.hakuto-china.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw

现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶小姐 1391-883-7267
上海伯东版权所有, 翻拷必究！

KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 镀制红外器件 ZnS 薄膜
网址:http://www.shangtaiw.com/b2b/hakuto/news/itemid-59275.html