国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140  作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于 Nb3Sn 的研究较为有利. 实验测量了样品的超导参数和晶格参数.

 

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

型号	RFICP140
Discharge	RFICP 射频
离子束流	>600 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	14 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	5-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	24.6 cm
直径	24.6 cm
中和器	LFN 2000

 

Nb3Sn 超导薄膜样品的实验研究是在 Al2O3(Sapphire) 上进行的, 采用铌溅射源和锡溅射源交替对样品进行溅射沉积,其中铌溅射源在上部, 锡溅射源在下部, 因为锡的熔点低. 退火采用电炉丝.

 

溅射沉积的过程是, 首先在基片上溅射沉积一层铌附着膜, 然后以固定速度旋转样品固定板,使得样品交替面对铌溅射源和锡溅射源, 形成多层膜结构, 最后再溅射沉积一层铌覆盖膜.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.

 

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

 

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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射多层沉积 Nb3Sn 超导薄膜
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