半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光导纤维、电子工业的重要部件、光学仪器、工艺品和耐火材料的原料，是科学研究的重要材料。

 

本文主要介绍上海伯东KRI离子源在半导体材料SiO2中的预清洗及刻蚀应用。

 

SiO₂预清洗的原因:

SiO₂在刻蚀前需要将其表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层等去除，且不破坏晶体的表面特性。

 

KRI离子源在SiO₂基片预清洗方法：

客户自己搭建真空系统，集成离子源，具体做法如下。
1.将SiO2基片放进真空系统，调整离子源；
2.抽取真空到某真空度后，启动离子源；
3.利用离子源释放的能量对SiO2基片进行轰击；

 

KRI离子源在SiO₂材料预清洗客户案例：

成都某工艺研究所，通过伯东购买离子源KDC40

KRI离子源优势：

1.考夫曼離子源通過控制離子的強度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面。

2.KDC 考夫曼離子源內置型的設計更符合離子源於離子拋光機內部的移動運行。

3.不僅廣泛應用於生產單位, 且因離子抨擊能量強, 蝕刻效率快。

4.可因應多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易。

 

伯東公司是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理。

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式：
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作！

 

若您需要进一步的了解 燃料电池储氢系统氦质谱检漏法 详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗小姐                                   台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-3511 ext 108              T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                            F: +886-3-567-0049
M: +86-152-0195-1076 (微信同号)      M: +886-939-653-958
qq: 2821409400

现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 罗小姐 152-0195-1076

上海伯东版权所有, 翻拷必究！

上海伯东KRI离子源在半导体材料中的预清洗及刻蚀应用
网址:http://www.shangtaiw.com/b2b/hakuto/news/itemid-58890.html