黑膜镀制, 是指将入射到材料表面的光线, 包括紫外光、可见光、近红外光以及中远红外波段的光, 几乎全部吸收而基本没有反射的表面处理技术. 超高的吸收率使黑膜有着广阔的应用前景. 如可在精密光学仪器和光学零件、医疗仪器、航空航天、外观装饰品等产品上得到广泛使用, 可大幅度提高产品品质, 开拓新的产品方向.
然而, 由于传统黑色表面处理工艺存在膜层太厚、粗糙多孔、结合力不佳、高低温环境不稳定、有害有机物释放、制备过程有大量污染物产生等问题, 因此, 探索黑膜镀制工艺升级是大势所趋. 上海伯东某客户借助 KRI 霍尔离子源镀制高信耐性黑膜, 通过镀膜工艺控制膜层透过指标, 以达到不同的效果. 试验效果很好地满足客户要求, 工艺性能优质.
KRi 霍尔离子源应用于黑膜镀制
客户打样指标要求：黑膜吸收92%~95.5%, 反射率8%~4.5%, HR 面反射率>95%@400~700nm, 上海伯东美国 KRI 霍尔离子源辅助沉积镀制增透吸收膜, 可以获得非常好的单质 SI 材料可见波段的吸收常数, 离子源辅助沉积过程稳定, 膜层致密性高, HR 膜更加得心应手, 加以合理工艺匹配, 可获得高信耐性、工艺性能良好的黑膜和 HR 膜. 使用离子源辅助的电子束蒸发来在不加热基板上进行蒸发, 可得到附着力良好, 遮盖力强, 材料可均匀融化, 工艺性能良好, 能很好地粘附于多种基底类型, 并表现出良好的环境稳定性的黑膜. 美国进口 KRI 霍尔离子源辅助镀制, 可达到行业顶级水准的效果.
美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护.
霍尔离子源 eH 系列在售型号:
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型号 |
eH400 |
eH1000 |
eH2000 |
eH3000 |
eH Linear |
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中和器 |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F |
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阳极电压 |
50-300 V |
50-300 V |
50-300 V |
50-250 V |
50-300 V |
|
离子束流 |
5A |
10A |
10A |
20A |
根据实际应用 |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
气体流量 |
2-25 sccm |
2-50 sccm |
2-75 sccm |
5-100 sccm |
根据实际应用 |
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本体高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
根据实际应用 |
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直径 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
根据实际应用 |
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水冷 |
可选 |
可选 |
是 |
可选 |
根据实际应用 |
* F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current
KRI 霍尔离子源其余相关应用：
美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用 (hakuto-china.cn)
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.
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