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KRI 考夫曼离子源 KDC 40
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数
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型号 |
KDC 40 |
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阳极 |
DC 直流 |
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阳极功率 |
100W |
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最大离子束流 |
>100mA |
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电压 |
100-1200V |
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气体 |
惰性和反应气体 |
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进气流量 |
2-10sccm |
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压力 |
<0.5m Torr |
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离子光学(自对准) |
OptiBeamTM |
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离子束直径 |
4cm Φ max |
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栅极 |
钼和石墨 |
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离子束形状 |
聚焦, 平行, 散射 |
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高度 |
16cm |
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直径 |
9cm |
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
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